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IR推出第八代1200VIGBT技术平台提供适合工业应用的基准效率和耐用性万芳

发布时间:2020-02-14 11:31:30 阅读: 来源:彩涂板厂家

IR 推出第八代 1200V IGBT技术平台 提供适合工业应用的基准效率和耐用性

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新一代绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技术平台采用IR的新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。

全新的Gen8设计可让高性能Vce(on) 降低功耗及增加功率密度,并可提供超卓的耐用性。IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“通过开发全新基准技术及顶尖的IGBT硅平台,彰显出IR在数十年来致力提升功率电子技术的承诺。我们期望为所有电动马达提供百分之百变频,以期更有效地使用电能及绿化环境。”

新技术针对电机驱动应用提供更好的软关断功能,有助于把dv/dt降到最低,从而减少电磁干扰、抑制过压,从而提升可靠性与耐用性。这个平台的参数分布较窄,在高电流功率模块内并联起多个IGBT之时,可提供出色的电流分配。薄晶圆技术则改善了热电阻和达到175°C的最高结温。

潘大伟补充道:“IR的Gen8 IGBT平台旨在为工业应用提供卓越技术。该IGBT平台凭借高性能Vce(on)、超卓的耐用性及一流的开关功能,使工业市场中的艰巨难题迎刃而解。”

欲了解更多信息,请浏览IR网站 www.irf.com。

产品规格IR 器件编号VCESIC (NOM)VCE(ON) (典型)封装IRG8CH15K10F1200V10A1.7膜上裸片IRG8CH20K10F15AIRG8CH29K10F25AIRG8CH38K10F35AIRG8CH42K10F40AIRG8CH50K10F50AIRG8CH76K10F75AIRG8CH97K10F100AIRG8CH137K10F150AIRG8CH182K10F200A

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