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IR全新1200VIGBT为电机驱动及不间断电源应用提升功率密度和效率万芳

发布时间:2020-02-14 10:59:20 阅读: 来源:彩涂板厂家

IR全新1200V IGBT为电机驱动及不间断电源应用,提升功率密度和效率

全新器件采用IR的场截止沟道超薄晶圆技术,可减少传导和开关损耗。该器件具有10us最小短路时间额定值,与具有低反向恢复电荷 (Qrr) 的软恢复二极管共同封装,为坚固的工业应用做出了有效优化。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“全新1200V沟道IGBT具有极低的Vce(on) 和低开关损耗,并带来更高的系统效率及稳固的瞬态效能,从而提高可靠性,使其非常适合恶劣的工业环境。”

这些经过封装的器件适用于从10A到50A的宽泛的电流范围。其他主要性能优势包括高达150°C 的Tjmax、有助于并联的正VCE(on) 温度系数,以及能够降低功耗和提升功率密度的低VCE(on)。新器件还可提供裸片形式。

规格

采用封装形式

器件编号封装VCESIC (标称)VceonTsc (最小)IRG7PH30K10DTO-247AC 1200V10 A2.0V10usIRG7PH30K10D-ETO247AD 长引线1200V10 A2.0V10usIRG7PH37K10DTO-247AC 1200V15 A1.9V10usIRG7PH37K10D-ETO247AD长引线1200V15 A1.9V10usIRG7PH44K10DTO-247AC 1200V25 A1.9V10usIRG7PH44K10D-ETO247AD长引线1200V25 A1.9V10usIRG7PH50K10DTO-247AC 1200V40 A1.9V10usIRG7PH50KD-ETO247AD长引线1200V40 A1.9V10usIRG7PSH54K10DSuper TO-2471200V50 A1.9V10us

采用裸片形式

器件编号VCESIC (标称)VceonTsc (最小)IRG7CH30K10B1200 V9 A2.0V10usIRG7CH37K10B1200 V15 A1.9V10usIRG7CH44K10B1200 V25 A1.9V10usIRG7CH50K10B1200 V35 A1.9V10usIRG7CH54K10B0-R1200 V50 A1.9V10usIRG7CH73K10B-R1200 V75 A1.9V10usIRG7CH75K10B-R1200 V100 A1.9V10usIRG7CH81K10B-R1200 V150 A1.9V10us

相关产品现正接受批量订单。新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。如需数据资料及IGBT产品选型工具,请浏览 IR的网站 www.irf.com。通过 http://mypower.irf.com/IGBT/ 可直接获取产品选型工具。

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